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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN210N20P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN210N20P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN210N20P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN210N20P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN210N20P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1122

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN210N20P
Specifiche tecniche IXYS - IXFN210N20P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN210N20P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 10.5mOhm @ 105A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1070W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 188A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN210  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN210N20P

Proprietà del prodotto IXFN210N20P IXFN180N15P IXFN23N100 IXFN180N20
Modello di prodotti IXFN210N20P IXFN180N15P IXFN23N100 IXFN180N20
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 150 V 1000 V 200 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA 5V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tube Box Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V - 660 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18600 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V - 22000 pF @ 25 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IXFN210 IXFN180 IXFN23 IXFN180
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 188A (Tc) 150A (Tc) 23A (Tc) 180A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 1070W (Tc) 680W (Tc) 600W (Tc) 700W (Tc)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar - HiPerFET™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 10.5mOhm @ 105A, 10V 11mOhm @ 90A, 10V - 10mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IXFN210N20P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN210N20P PDF e la documentazione IXYS per IXFN210N20P - IXYS.

Schede tecniche
IXFN210N20P.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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