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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFL38N100Q2
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFL38N100Q2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFL38N100Q2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFL38N100Q2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXFL38N100Q2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 727

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFL38N100Q2
Specifiche tecniche IXYS - IXFL38N100Q2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFL38N100Q2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS264™  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFL38  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFL38N100Q2

Proprietà del prodotto IXFL38N100Q2 IXFK88N30P IXFN100N50P IXFN100N10S3
Modello di prodotti IXFL38N100Q2 IXFK88N30P IXFN100N50P IXFN100N10S3
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc) 600W (Tc) 1040W (Tc) 360W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc) 88A (Tc) 90A (Tc) 100A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 8mA 5V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 4mA
Pacchetto Tube Box Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 19A, 10V 40mOhm @ 44A, 10V 49mOhm @ 50A, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 20000 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS264™ TO-264AA (IXFK) SOT-227B SOT-227B
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V 300 V 500 V 100 V
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Numero di prodotto di base IXFL38 IXFK88 IXFN100 IXFN100

IXFL38N100Q2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFL38N100Q2 PDF e la documentazione IXYS per IXFL38N100Q2 - IXYS.

Schede tecniche
IXFL38N100Q2.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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