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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFH12N90
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFH12N90 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFH12N90
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFH12N90
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXF(H,M,T)1xN90.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFH12N90
Specifiche tecniche IXYS - IXFH12N90, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFH12N90

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFH12  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFH12N90

Proprietà del prodotto IXFH12N90 IXFH14N80 IXFH14N100 IXFH14N100Q2
Modello di prodotti IXFH12N90 IXFH14N80 IXFH14N100 IXFH14N100Q2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 4870 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class
Numero di prodotto di base IXFH12 IXFH14 IXFH14 IXFH14
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 360W (Tc) 500W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 6A, 10V 700mOhm @ 500mA, 10V 750mOhm @ 500mA, 10V 950mOhm @ 7A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 800 V 1000 V 1000 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5.5V @ 4mA

IXFH12N90 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFH12N90 PDF e la documentazione IXYS per IXFH12N90 - IXYS.

Schede tecniche
IXF(H,M,T)1xN90.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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