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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFB100N50P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFB100N50P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFB100N50P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFB100N50P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXFB100N50P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1631

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFB100N50P
Specifiche tecniche IXYS - IXFB100N50P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFB100N50P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PLUS264™  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1890W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFB100  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFB100N50P

Proprietà del prodotto IXFB100N50P IXFB50N80Q2 IXFA7N80P IXFA7N100P
Modello di prodotti IXFB100N50P IXFB50N80Q2 IXFA7N80P IXFA7N100P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 2590 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5V @ 1mA 6V @ 1mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 1890W (Tc) 1135W (Tc) 200W (Tc) 300W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IXFB100 IXFB50 IXFA7N80 IXFA7N100
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 800 V 800 V 1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 50A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore PLUS264™ PLUS264™ TO-263AA (IXFA) TO-263AA (IXFA)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V

IXFB100N50P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFB100N50P PDF e la documentazione IXYS per IXFB100N50P - IXYS.

Schede tecniche
IXFB100N50P.pdf

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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