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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloIXDR30N120
IXDR30N120 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXDR30N120 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXDR30N120
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXDR30N120
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXDR30N120(D1).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4190

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXDR30N120
Specifiche tecniche IXYS - IXDR30N120, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXDR30N120

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.9V @ 15V, 30A  
Condizione di test 600V, 30A, 47Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C -  
di scambio energetico 4.6mJ (on), 3.4mJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™  
Serie -  
Potenza - Max 200 W  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT NPT  
carica gate 120 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 60 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 50 A  
Numero di prodotto di base IXDR30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXDR30N120

Proprietà del prodotto IXDR30N120 IXDR30N120D1 IXDN614PI IXDN75N120
Modello di prodotti IXDR30N120 IXDR30N120D1 IXDN614PI IXDN75N120
fabbricante IXYS IXYS IXYS Integrated Circuits Division IXYS
Potenza - Max 200 W 200 W - 660 W
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.9V @ 15V, 30A 2.9V @ 15V, 30A - 2.7V @ 15V, 75A
Td (on / off) @ 25 ° C - - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V 1200 V - 1200 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base IXDR30 IXDR30 IXDN614 IXDN75
carica gate 120 nC 120 nC - -
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ 8-DIP SOT-227B
di scambio energetico 4.6mJ (on), 3.4mJ (off) 4.6mJ (on), 3.4mJ (off) - -
Tipo di ingresso Standard Standard Non-Inverting -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Chassis Mount
Condizione di test 600V, 30A, 47Ohm, 15V 600V, 30A, 47Ohm, 15V - -
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 8-DIP (0.300", 7.62mm) SOT-227-4, miniBLOC
Tipo IGBT NPT NPT - NPT
Corrente - collettore (Ic) (max) 50 A 50 A - 150 A
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 60 A 60 A - -

IXDR30N120 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXDR30N120 PDF e la documentazione IXYS per IXDR30N120 - IXYS.

Schede tecniche
IXDR30N120(D1).pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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