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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverIXDI609CI
IXDI609CI Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXDI609CI - IXYS Integrated Circuits Division

fabbricante Modello di prodotti
IXDI609CI
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXDI609CI
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-5
Scheda dati
IXD 609.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 18924

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXDI609CI
Specifiche tecniche IXYS Integrated Circuits Division - IXDI609CI, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS Integrated Circuits Division - IXDI609CI

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 35V  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-5  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 22ns, 15ns  
Contenitore / involucro TO-220-5  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Tipo di ingresso Inverting  
Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Low-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 9A, 9A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IXDI609  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS Integrated Circuits Division IXDI609CI

Proprietà del prodotto IXDI609CI IXDI602D2TR IXDI602SIA IXDI502SIAT/R
Modello di prodotti IXDI609CI IXDI602D2TR IXDI602SIA IXDI502SIAT/R
fabbricante IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo di ingresso Inverting Inverting Inverting Inverting
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tempo di salita / scadenza (Typ) 22ns, 15ns 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 9A, 9A 2A, 2A 2A, 2A 2A, 2A
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 30V
Numero di prodotto di base IXDI609 IXDI602 IXDI602 IXDI502
Contenitore / involucro TO-220-5 8-VDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Configurazione guidata Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-5 8-DFN-EP (5x4) 8-SOIC 8-SOIC
Frequenza di ingresso 1 2 2 2
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Independent Independent Independent

IXDI609CI Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXDI609CI PDF e la documentazione IXYS Integrated Circuits Division per IXDI609CI - IXYS Integrated Circuits Division.

Schede tecniche
IXD 609.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IXDI609CI

IXYS Integrated Circuits Division
32D-IXDI609CI

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