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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverIXDD609SITR
IXDD609SITR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXDD609SITR - IXYS Integrated Circuits Division

fabbricante Modello di prodotti
IXDD609SITR
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXDD609SITR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Scheda dati
IXD 609.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 25240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXDD609SITR
Specifiche tecniche IXYS Integrated Circuits Division - IXDD609SITR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS Integrated Circuits Division - IXDD609SITR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 35V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC-EP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 22ns, 15ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Low-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 9A, 9A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IXDD609  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS Integrated Circuits Division IXDD609SITR

Proprietà del prodotto IXDD609SITR IXDF404PI IXDD609CI IXDD609SIATR
Modello di prodotti IXDD609SITR IXDF404PI IXDD609CI IXDD609SIATR
fabbricante IXYS Integrated Circuits Division IXYS IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division
Tempo di salita / scadenza (Typ) 22ns, 15ns 16ns, 13ns 22ns, 15ns 22ns, 15ns
Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Numero di prodotto di base IXDD609 IXDF404 IXDD609 IXDD609
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Independent Single Single
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 9A, 9A 4A, 4A 9A, 9A 9A, 9A
Frequenza di ingresso 1 2 1 1
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.5V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Configurazione guidata Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Tipo di ingresso Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-DIP (0.300", 7.62mm) TO-220-5 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC-EP 8-DIP TO-220-5 8-SOIC
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Serie - - - -

IXDD609SITR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXDD609SITR PDF e la documentazione IXYS Integrated Circuits Division per IXDD609SITR - IXYS Integrated Circuits Division.

Schede tecniche
IXD 609.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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