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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloIXBT2N250
IXBT2N250 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXBT2N250 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXBT2N250
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXBT2N250
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 2500V 5A 32W TO268
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Scheda dati
IXB(H,T)2N250.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2362

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXBT2N250
Specifiche tecniche IXYS - IXBT2N250, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXBT2N250

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 2500 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 3.5V @ 15V, 2A  
Condizione di test -  
Td (on / off) @ 25 ° C -  
di scambio energetico -  
Contenitore dispositivo fornitore TO-268AA  
Serie BIMOSFET™  
Tempo di ripristino inverso (trr) 920 ns  
Potenza - Max 32 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT -  
carica gate 10.6 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 13 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 5 A  
Numero di prodotto di base IXBT2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXBT2N250

Proprietà del prodotto IXBT2N250 IXBT20N300 IXBOD1-20RD IXBN75N170
Modello di prodotti IXBT2N250 IXBT20N300 IXBOD1-20RD IXBN75N170
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo di ingresso Standard Standard - -
Tipo IGBT - - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 5 A 50 A - 145 A
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 13 A 140 A - -
Numero di prodotto di base IXBT2 IXBT20 IXBOD1 IXBN75
Tempo di ripristino inverso (trr) 920 ns 1.35 µs - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
carica gate 10.6 nC 105 nC - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Chassis Mount
di scambio energetico - - - -
Serie BIMOSFET™ BIMOSFET™ - BIMOSFET™
Vce (on) (max) a VGE, Ic 3.5V @ 15V, 2A 3.2V @ 15V, 20A - 3.1V @ 15V, 75A
Condizione di test - - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 2500 V 3000 V - 1700 V
Potenza - Max 32 W 250 W - 625 W
Contenitore dispositivo fornitore TO-268AA TO-268AA BOD SOT-227B
Pacchetto Tube Tube Box Tube
Td (on / off) @ 25 ° C - - - -
Contenitore / involucro TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Radial SOT-227-4, miniBLOC

IXBT2N250 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXBT2N250 PDF e la documentazione IXYS per IXBT2N250 - IXYS.

Schede tecniche
IXB(H,T)2N250.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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