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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFMM65-015P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FMM65-015P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
FMM65-015P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-FMM65-015P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
i4-Pac™-5
Scheda dati
FMM65-015P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FMM65-015P
Specifiche tecniche IXYS - FMM65-015P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - FMM65-015P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS i4-PAC™  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 50A, 10V  
Potenza - Max -  
Contenitore / involucro i4-Pac™-5  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 150V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FMM65  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS FMM65-015P

Proprietà del prodotto FMM65-015P FMM75-01F FMM5605ZET/103 FMM7G30US60SN
Modello di prodotti FMM65-015P FMM75-01F FMM5605ZET/103 FMM7G30US60SN
fabbricante IXYS IXYS Fujitsu Electronics America, Inc. Fairchild (onsemi)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 50A, 10V 25mOhm @ 50A, 10V - -
Potenza - Max - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 150V 100V - -
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS i4-PAC™ ISOPLUS i4-PAC™ - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - -
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A 75A - -
Numero di prodotto di base FMM65 FMM75 - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 4V @ 4mA - -
Contenitore / involucro i4-Pac™-5 i4-Pac™-5 - -
Serie - HiPerFET™ - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V 180nC @ 10V - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -

FMM65-015P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FMM65-015P PDF e la documentazione IXYS per FMM65-015P - IXYS.

Schede tecniche
FMM65-015P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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