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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloDLA60I1200HA
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DLA60I1200HA - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
DLA60I1200HA
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-DLA60I1200HA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-2
Scheda dati
DLA60I1200HA.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 10754

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DLA60I1200HA
Specifiche tecniche IXYS - DLA60I1200HA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - DLA60I1200HA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.19 V @ 60 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro TO-247-2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 30 µA @ 1200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 60A  
Capacità a Vr, F 33pF @ 400V, 1MHz  
Numero di prodotto di base DLA60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS DLA60I1200HA

Proprietà del prodotto DLA60I1200HA RB521S-30TE61 SS14HE3_A/H VSSAF5N50-M3/6A
Modello di prodotti DLA60I1200HA RB521S-30TE61 SS14HE3_A/H VSSAF5N50-M3/6A
fabbricante IXYS Rohm Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tecnologia Standard Schottky Schottky Schottky
Contenitore / involucro TO-247-2 SC-79, SOD-523 DO-214AC, SMA DO-221AC, SMA Flat Leads
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD EMD2 DO-214AC (SMA) DO-221AC (SlimSMA)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - raddrizzata media (Io) 60A 200mA 1A 3A
Capacità a Vr, F 33pF @ 400V, 1MHz - - 850pF @ 4V, 1MHz
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C 125°C (Max) -65°C ~ 125°C -40°C ~ 150°C
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.19 V @ 60 A 500 mV @ 200 mA 500 mV @ 1 A 410 mV @ 2.5 A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Numero di prodotto di base DLA60 RB521 SS14 SAF5N50
Corrente - Dispersione inversa a Vr 30 µA @ 1200 V 30 µA @ 10 V 200 µA @ 40 V 1.4 mA @ 50 V
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V 30 V 40 V 50 V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - Automotive, AEC-Q101 TMBS®, SlimSMA™

DLA60I1200HA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DLA60I1200HA PDF e la documentazione IXYS per DLA60I1200HA - IXYS.

Assemblaggio/origine PCN
Thyristor/Diode 27/APR/2023.pdf
Schede tecniche
DLA60I1200HA.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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