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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciDCG85X1200NA
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DCG85X1200NA - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
DCG85X1200NA
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-DCG85X1200NA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
DCG85X1200NA.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 249

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DCG85X1200NA
Specifiche tecniche IXYS - DCG85X1200NA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - DCG85X1200NA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.8 V @ 40 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 2 Independent  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 400 µA @ 1200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 43A  
Numero di prodotto di base DCG85  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS DCG85X1200NA

Proprietà del prodotto DCG85X1200NA V50100P-E3/45 DA6X101K0R DCG100X1200NA
Modello di prodotti DCG85X1200NA V50100P-E3/45 DA6X101K0R DCG100X1200NA
fabbricante IXYS Vishay General Semiconductor - Diodes Division Panasonic Electronic Components IXYS
Corrente - Dispersione inversa a Vr 400 µA @ 1200 V 1 mA @ 100 V 100 nA @ 80 V 500 µA @ 1200 V
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.8 V @ 40 A 780 mV @ 25 A 1.2 V @ 100 mA 1.8 V @ 50 A
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B TO-247AD (TO-3P) Mini6-G4-B SOT-227B
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 43A 25A 100mA (DC) 49A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 175°C -40°C ~ 150°C 150°C (Max) -40°C ~ 175°C
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns - 3 ns 0 ns
Configurazione diodo 2 Independent 1 Pair Common Cathode 3 Independent 2 Independent
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Surface Mount Chassis Mount
Serie - TMBS® - -
Numero di prodotto di base DCG85 V50100 DA6X101 DCG100
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC TO-3P-3, SC-65-3 SOT-23-6 SOT-227-4, miniBLOC
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V 100 V 80 V 1200 V
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky Standard SiC (Silicon Carbide) Schottky

DCG85X1200NA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DCG85X1200NA PDF e la documentazione IXYS per DCG85X1200NA - IXYS.

Schede tecniche
DCG85X1200NA.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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