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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFR9120
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFR9120 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
IRFR9120
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFR9120
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRFR9120.pdf
In magazzino: 41610

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFR9120
Specifiche tecniche Harris Corporation - IRFR9120, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - IRFR9120

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 3.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFR9120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation IRFR9120

Proprietà del prodotto IRFR9120 IRFR9120NTRPBF IRFR9120TR IRFR9110TF
Modello di prodotti IRFR9120 IRFR9120NTRPBF IRFR9120TR IRFR9110TF
fabbricante Harris Corporation Infineon Technologies Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 3.4A, 10V 480mOhm @ 3.9A, 10V 600mOhm @ 3.4A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak DPAK
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Tc) 6.6A (Tc) 5.6A (Tc) 3.1A (Tc)
Numero di prodotto di base IRFR9120 IRFR9120 IRFR9120 -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 40W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 25W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V
Serie - HEXFET® - -

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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