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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFR222
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFR222 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
IRFR222
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFR222
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRFR222.pdf
In magazzino: 87220

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFR222
Specifiche tecniche Harris Corporation - IRFR222, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - IRFR222

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation IRFR222

Proprietà del prodotto IRFR222 IRFR224PBF IRFR224 IRFR220TRRPBF
Modello di prodotti IRFR222 IRFR224PBF IRFR224 IRFR220TRRPBF
fabbricante Harris Corporation Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc) 3.8A (Tc) 3.8A (Tc) 4.8A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 250 V 250 V 200 V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Serie - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Bulk Tube Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) D-Pak D-Pak D-Pak
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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