Specifiche
Specifiche tecnologiche IRFD210
Specifiche tecniche Harris Corporation - IRFD210, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - IRFD210
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
Harris Corporation |
|
| Vgs (th) (max) a Id |
4V @ 250µA |
|
| Vgs (Max) |
±20V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
|
| Contenitore dispositivo fornitore |
4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
|
| Serie |
- |
|
| Rds On (max) a Id, Vgs |
1.5Ohm @ 360mA, 10V |
|
| Dissipazione di potenza (max) |
1W (Ta) |
|
| Contenitore / involucro |
4-DIP (0.300", 7.62mm) |
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| Pacchetto |
Bulk |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Through Hole |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
140 pF @ 25 V |
|
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
8.2 nC @ 10 V |
|
| Tipo FET |
N-Channel |
|
| Caratteristica FET |
- |
|
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
200 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
600mA (Ta) |
|
| Numero di prodotto di base |
IRFD210 |
|
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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IRFD110PBF MOSElectro-Films (EFI) / Vishay