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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF9531
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF9531 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
IRF9531
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF9531
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRF9531.pdf
In magazzino: 56070

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF9531
Specifiche tecniche Harris Corporation - IRF9531, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - IRF9531

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±320V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) 75W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation IRF9531

Proprietà del prodotto IRF9531 IRF9530NSTRLPBF IRF9540 IRF9530PBF
Modello di prodotti IRF9531 IRF9530NSTRLPBF IRF9540 IRF9530PBF
fabbricante Harris Corporation Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Serie - HEXFET® - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A 14A (Tc) 19A (Tc) 12A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id - 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±320V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 100 V 100 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D2PAK TO-220AB TO-220AB
Rds On (max) a Id, Vgs - 200mOhm @ 8.4A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Dissipazione di potenza (max) 75W 3.8W (Ta), 79W (Tc) 150W (Tc) 88W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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