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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF244
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF244 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
IRF244
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF244
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-204AA, TO-3
Scheda dati
IRF244.pdf
In magazzino: 11072

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF244
Specifiche tecniche Harris Corporation - IRF244, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - IRF244

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-204AA, TO-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Tc)  

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Proprietà del prodotto IRF244 IRF250P224 IRF230 IRF250P225
Modello di prodotti IRF244 IRF250P224 IRF230 IRF250P225
fabbricante Harris Corporation Infineon Technologies Harris Corporation Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 270µA 4V @ 250µA 4V @ 270µA
Contenitore / involucro TO-204AA, TO-3 TO-247-3 TO-204AA, TO-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Tc) 96A (Tc) 9A (Tc) 69A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) 313W (Tc) 75W (Tc) 313W (Tc)
Serie - StrongIRFET™ - StrongIRFET™
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 203 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V 12mOhm @ 58A, 10V 400mOhm @ 5A, 10V 22mOhm @ 41A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 250 V 200 V 250 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 9915 pF @ 50 V 600 pF @ 25 V 4897 pF @ 50 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-3 TO-247AC TO-3 TO-247AC
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Bulk Tube Bag Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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