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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUF76139S3
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUF76139S3 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
HUF76139S3
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HUF76139S3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
HUF76139S3.pdf
In magazzino: 36274

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUF76139S3
Specifiche tecniche Harris Corporation - HUF76139S3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - HUF76139S3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation HUF76139S3

Proprietà del prodotto HUF76139S3 HUF76145S3S HUF76137P3 HUF76143S3ST
Modello di prodotti HUF76139S3 HUF76145S3S HUF76137P3 HUF76143S3ST
fabbricante Harris Corporation Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) TO-263AB TO-220AB TO-263AB
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 75A, 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - UltraFET® -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V 4900 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) 270W (Tc) 145W (Tc) 225W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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