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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUF75309D3
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUF75309D3 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
HUF75309D3
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HUF75309D3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
HUF75309D3.pdf
In magazzino: 5400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUF75309D3
Specifiche tecniche Harris Corporation - HUF75309D3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - HUF75309D3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation HUF75309D3

Proprietà del prodotto HUF75309D3 HUF75309P3 HUF75321D3S HUF75307D3ST
Modello di prodotti HUF75309D3 HUF75309P3 HUF75321D3S HUF75307D3ST
fabbricante Harris Corporation onsemi onsemi Harris Corporation
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) 55W (Tc) 93W (Tc) 45W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 20 V 24 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V 20 nC @ 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK TO-220-3 TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Pacchetto Bulk Tube Tube Bulk
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 17A, 10V 70mOhm @ 19A, 10V 36mOhm @ 20A, 10V 90mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 19A (Tc) 20A (Tc) 15A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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