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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMURT30040
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MURT30040 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MURT30040
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MURT30040
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE MODULE 400V 150A 3TOWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Three Tower
Scheda dati
MURT30040 thru MURT30060R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 265

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MURT30040
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MURT30040, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MURT30040

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.35 V @ 150 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 400 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore Three Tower  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 150 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro Three Tower  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25 µA @ 50 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 150A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MURT30040

Proprietà del prodotto MURT30040 MURT30020 MURT20020 MURT20040
Modello di prodotti MURT30040 MURT30020 MURT20020 MURT20040
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Tensione - inversa (Vr) (max) 400 V 200 V 200 V 400 V
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Contenitore / involucro Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.35 V @ 150 A 1.3 V @ 150 A 1.3 V @ 100 A 1.35 V @ 100 A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 150A 150A 100A 100A
Tempo di ripristino inverso (trr) 150 ns 100 ns 75 ns 90 ns
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Contenitore dispositivo fornitore Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Serie - - - -

MURT30040 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MURT30040 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MURT30040 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MURT30040 thru MURT30060R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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