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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMUR40040CT
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MUR40040CT - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MUR40040CT
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MUR40040CT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Twin Tower
Scheda dati
MUR40040CT thru 40060CTR.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 298

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MUR40040CT
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MUR40040CT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MUR40040CT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 125 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 400 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 150 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro Twin Tower  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25 µA @ 50 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 200A  
Numero di prodotto di base MUR40040  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MUR40040CT

Proprietà del prodotto MUR40040CT MUR40010CT MUR40005CT MUR40060CT
Modello di prodotti MUR40040CT MUR40010CT MUR40005CT MUR40060CT
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 200A 200A 200A 200A
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Tempo di ripristino inverso (trr) 150 ns 90 ns 90 ns 180 ns
Serie - - - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 125 A 1.3 V @ 125 A 1.3 V @ 125 A 1.3 V @ 125 A
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Tensione - inversa (Vr) (max) 400 V 100 V 50 V 600 V
Contenitore / involucro Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C - -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Numero di prodotto di base MUR40040 MUR40010 - MUR40060

MUR40040CT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MUR40040CT PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MUR40040CT - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MUR40040CT thru 40060CTR.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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