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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloMBR6080
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBR6080 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MBR6080
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR6080
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 80V 60A DO5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-203AB, DO-5, Stud
Scheda dati
MBR6045 thru MBR60100R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 1751

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR6080
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MBR6080, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MBR6080

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 840 mV @ 60 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore DO-5  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 mA @ 20 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 60A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base MBR6080  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MBR6080

Proprietà del prodotto MBR6080 MBR6045WT MBR6060 MBR6045WTG
Modello di prodotti MBR6080 MBR6045WT MBR6060 MBR6045WTG
fabbricante GeneSiC Semiconductor Littelfuse Inc. GeneSiC Semiconductor onsemi
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount Through Hole Chassis, Stud Mount Through Hole
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 mA @ 20 V 1 mA @ 45 V 5 mA @ 20 V 1 mA @ 45 V
Serie - MBR - SWITCHMODE™
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud TO-247-3 DO-203AB, DO-5, Stud TO-247-3
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 840 mV @ 60 A 650 mV @ 30 A 750 mV @ 60 A 620 mV @ 30 A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Contenitore dispositivo fornitore DO-5 TO-247AD DO-5 TO-247-3
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V 45 V 60 V 45 V
Corrente - raddrizzata media (Io) 60A 30A 60A -
Numero di prodotto di base MBR6080 - MBR6060 MBR6045
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Pacchetto Bulk Tube Bulk Tube
Capacità a Vr, F - 1400pF @ 5V, 1MHz - -

MBR6080 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR6080 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MBR6080 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MBR6045 thru MBR60100R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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