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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMBR50030CT
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBR50030CT - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MBR50030CT
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR50030CT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE MODULE 30V 250A 2TOWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Twin Tower
Scheda dati
MBR50020CT thru MBR50040CTR.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 4260

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR50030CT
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MBR50030CT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MBR50030CT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 750 mV @ 250 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 30 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro Twin Tower  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 20 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 250A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MBR50030CT

Proprietà del prodotto MBR50030CT MBR50020CT MBR41H100CTG MBR40L45CTG
Modello di prodotti MBR50030CT MBR50020CT MBR41H100CTG MBR40L45CTG
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor onsemi onsemi
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 750 mV @ 250 A 750 mV @ 250 A 800 mV @ 20 A 500 mV @ 20 A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C 175°C (Max) -65°C ~ 175°C
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro Twin Tower Twin Tower TO-220-3 TO-220-3
Tensione - inversa (Vr) (max) 30 V 20 V 100 V 45 V
Serie - - SWITCHMODE™ SWITCHMODE™
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 10 µA @ 100 V 1.2 mA @ 45 V
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower Twin Tower TO-220 TO-220
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 250A 250A 20A 20A
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Pacchetto Bulk Bulk Tube Tube
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

MBR50030CT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR50030CT PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MBR50030CT - GeneSiC Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Schede tecniche
MBR50020CT thru MBR50040CTR.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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