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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloMBR3545
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBR3545 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MBR3545
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR3545
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-203AA, DO-4, Stud
Scheda dati
MBR3545 thru MBR35100R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 2778

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR3545
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MBR3545, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MBR3545

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 680 mV @ 35 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 45 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore DO-4  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1.5 mA @ 20 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 35A  
Capacità a Vr, F -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MBR3545

Proprietà del prodotto MBR3545 MBR3540 MBR350 MBR360RLG
Modello di prodotti MBR3545 MBR3540 MBR350 MBR360RLG
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor onsemi onsemi
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 680 mV @ 35 A 680 mV @ 35 A 740 mV @ 3 A 740 mV @ 3 A
Serie - - - -
Corrente - raddrizzata media (Io) 35A 35A 3A 3A
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tensione - inversa (Vr) (max) 45 V 40 V 50 V 60 V
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1.5 mA @ 20 V 1.5 mA @ 20 V 600 µA @ 50 V 600 µA @ 60 V
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount Chassis, Stud Mount Through Hole Through Hole
Capacità a Vr, F - - - -
Contenitore dispositivo fornitore DO-4 DO-4 Axial Axial
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-201AA, DO-27, Axial DO-201AA, DO-27, Axial

MBR3545 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR3545 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MBR3545 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MBR3545 thru MBR35100R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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