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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMBR20080CT
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBR20080CT - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MBR20080CT
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR20080CT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Twin Tower
Scheda dati
MBR20045CT thru MBR200100CT.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 361

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR20080CT
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MBR20080CT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MBR20080CT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 840 mV @ 100 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro Twin Tower  
Pacchetto Bulk  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 mA @ 20 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 200A (DC)  
Numero di prodotto di base MBR20080  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MBR20080CT

Proprietà del prodotto MBR20080CT MBR20045CT MBR20060CT MBR20080
Modello di prodotti MBR20080CT MBR20045CT MBR20060CT MBR20080
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor MOTOROLA
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 840 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A 750 mV @ 100 A -
Pacchetto Bulk Bulk Bulk -
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 200A (DC) 200A (DC) 200A (DC) -
Serie - - - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V 45 V 60 V -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V -
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower Twin Tower Twin Tower -
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Numero di prodotto di base MBR20080 MBR20045 MBR20060 -
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode -
Contenitore / involucro Twin Tower Twin Tower Twin Tower -
Tecnologia Schottky Schottky Schottky -

MBR20080CT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR20080CT PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MBR20080CT - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MBR20045CT thru MBR200100CT.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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