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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMBR20030CT
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBR20030CT - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MBR20030CT
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR20030CT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Twin Tower
Scheda dati
MBR20020CT thru MBR20040CTR.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 452

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR20030CT
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MBR20030CT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MBR20030CT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 650 mV @ 100 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 30 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro Twin Tower  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 mA @ 20 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 200A (DC)  
Numero di prodotto di base MBR20030  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MBR20030CT

Proprietà del prodotto MBR20030CT MBR20020CT MBR200150CT MBR20040CT
Modello di prodotti MBR20030CT MBR20020CT MBR200150CT MBR20040CT
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Serie - - - -
Numero di prodotto di base MBR20030 MBR20020 MBR200150 MBR20040
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 200A (DC) 200A (DC) 100A 200A (DC)
Tensione - inversa (Vr) (max) 30 V 20 V 150 V 40 V
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C - -55°C ~ 150°C -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Contenitore / involucro Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 650 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A 880 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V 3 mA @ 150 V 5 mA @ 20 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode

MBR20030CT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR20030CT PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MBR20030CT - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MBR20020CT thru MBR20040CTR.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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