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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMBR12080CT
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBR12080CT - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MBR12080CT
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR12080CT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Twin Tower
Scheda dati
MBR12045CT thru MBR120100CTR.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 492

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR12080CT
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MBR12080CT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MBR12080CT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 840 mV @ 60 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro Twin Tower  
Pacchetto Bulk  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Anode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 3 mA @ 20 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 120A (DC)  
Numero di prodotto di base MBR12080  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MBR12080CT

Proprietà del prodotto MBR12080CT MBR12060CT MBR12040CT MBR12045CT
Modello di prodotti MBR12080CT MBR12060CT MBR12040CT MBR12045CT
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Numero di prodotto di base MBR12080 MBR12060 MBR12040 MBR12045
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Contenitore / involucro Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Serie - - - -
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 120A (DC) 120A (DC) 120A (DC) 120A (DC)
Configurazione diodo 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tensione - inversa (Vr) (max) 80 V 60 V 40 V 45 V
Corrente - Dispersione inversa a Vr 3 mA @ 20 V 3 mA @ 20 V 3 mA @ 20 V 3 mA @ 20 V
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 840 mV @ 60 A 750 mV @ 60 A 650 mV @ 120 A 650 mV @ 60 A

MBR12080CT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR12080CT PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MBR12080CT - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MBR12045CT thru MBR120100CTR.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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