Specifiche
Specifiche tecnologiche KBU8J
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - KBU8J, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - KBU8J
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
GeneSiC Semiconductor |
|
| Tensione - Picco inversa (max) |
600 V |
|
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If |
1 V @ 8 A |
|
| Tecnologia |
Standard |
|
| Contenitore dispositivo fornitore |
KBU |
|
| Serie |
- |
|
| Contenitore / involucro |
4-SIP, KBU |
|
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| Pacchetto |
Bulk |
|
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
|
| Tipo montaggio |
Through Hole |
|
| Tipo diodo |
Single Phase |
|
| Corrente - Dispersione inversa a Vr |
10 µA @ 600 V |
|
| Corrente - raddrizzata media (Io) |
8 A |
|
| Numero di prodotto di base |
KBU8 |
|
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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KBU6K-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
KBU810G-B-00-00SEP
KBU808Yangjie TechnologyKBU 800V 8.0A Diodes Bridge Re