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GBPC3508W Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GBPC3508W - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
GBPC3508W
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-GBPC3508W
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-Square, GBPC-W
Scheda dati
GBPC3506T/W thru GBPC3510T/W.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 15142

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GBPC3508W
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - GBPC3508W, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - GBPC3508W

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - Picco inversa (max) 800 V  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1 V @ 17.5 A  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore GBPC-W  
Serie -  
Contenitore / involucro 4-Square, GBPC-W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo diodo Single Phase  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 800 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 35 A  
Numero di prodotto di base GBPC3508  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor GBPC3508W

Proprietà del prodotto GBPC3508W GBPC3508W GBPC3508W GBPC3508
Modello di prodotti GBPC3508W GBPC3508W GBPC3508W GBPC3508
fabbricante GeneSiC Semiconductor Diodes Incorporated Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd HY Electronic (Cayman) Limited
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Chassis Mount
Contenitore dispositivo fornitore GBPC-W GBPC-W GBPC-W GBPC
Contenitore / involucro 4-Square, GBPC-W 4-Square, GBPC-W 4-Square, GBPC-W 4-Square, GBPC
Corrente - raddrizzata media (Io) 35 A 35 A 35 A 35 A
Serie - - - -
Pacchetto Bulk Tray Box Bulk
Numero di prodotto di base GBPC3508 GBPC3508 - -
Tipo diodo Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
Tensione - Picco inversa (max) 800 V 800 V 800 V 800 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1 V @ 17.5 A 1.1 V @ 17.5 A 1.1 V @ 17.5 A 1.1 V @ 17.5 A
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 800 V 5 µA @ 800 V 10 µA @ 800 V 5 µA @ 800 V

GBPC3508W Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GBPC3508W PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per GBPC3508W - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
GBPC3506T/W thru GBPC3510T/W.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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GBPC3508W

GeneSiC Semiconductor
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