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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori ponteGBJ25M
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GBJ25M - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
GBJ25M
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-GBJ25M
Modello ECAD
Descrizione delle parti
1000V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDG
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-SIP, GBJ
Scheda dati
GBJ25J thru GBJ25M.pdf
In magazzino: 28950

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GBJ25M
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - GBJ25M, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - GBJ25M

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - Picco inversa (max) 1 kV  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.05 V @ 12.5 A  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore GBJ  
Serie -  
Contenitore / involucro 4-SIP, GBJ  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo diodo Single Phase  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 1000 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 25 A  
Numero di prodotto di base GBJ25  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor GBJ25M

Proprietà del prodotto GBJ25M GBJ25L06 GBJ25J GBJ3510
Modello di prodotti GBJ25M GBJ25L06 GBJ25J GBJ3510
fabbricante GeneSiC Semiconductor Diodes Incorporated SURGE Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 1000 V 10 µA @ 600 V 5 µA @ 600 V 5 µA @ 1000 V
Tipo diodo Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - raddrizzata media (Io) 25 A 25 A 3.5 A 35 A
Contenitore dispositivo fornitore GBJ GBJ GBJ(5S) GBJ
Numero di prodotto di base GBJ25 - - -
Pacchetto Bulk - Bag Box
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.05 V @ 12.5 A 0.92 V @ 12.5 A 1 V @ 12.5 A 1.05 V @ 17.5 A
Serie - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione - Picco inversa (max) 1 kV 600 V 600 V 1 kV
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Contenitore / involucro 4-SIP, GBJ 4-SIP, GBJ 4-SIP, KBJ 4-SIP, GBJ

GBJ25M Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GBJ25M PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per GBJ25M - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
GBJ25J thru GBJ25M.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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