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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo1N5833
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

1N5833 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
1N5833
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-1N5833
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-203AB, DO-5, Stud
Scheda dati
1N5832 thru 1N5834R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 2559

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 1N5833
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - 1N5833, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - 1N5833

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 550 mV @ 40 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 30 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore DO-5  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 20 mA @ 10 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 40A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 1N5833  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor 1N5833

Proprietà del prodotto 1N5833 1N5832 1N5832 1N5831
Modello di prodotti 1N5833 1N5832 1N5832 1N5831
fabbricante GeneSiC Semiconductor Solid State Inc. Microchip Technology Solid State Inc.
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C -65°C ~ 125°C -65°C ~ 125°C -65°C ~ 125°C
Corrente - Dispersione inversa a Vr 20 mA @ 10 V 20 mA @ 20 V 20 mA @ 20 V 3 mA @ 40 V
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount Stud Mount Stud Mount Stud Mount
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Serie - - - -
Numero di prodotto di base 1N5833 - 1N5832 -
Corrente - raddrizzata media (Io) 40A 40A 40A 25A
Capacità a Vr, F - - - 1650pF @ 5V, 1MHz
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Tensione - inversa (Vr) (max) 30 V 20 V 20 V 40 V
Contenitore dispositivo fornitore DO-5 DO-5 DO-5 (DO-203AB) DO-4
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 550 mV @ 40 A 520 mV @ 40 A 520 mV @ 40 A 480 mV @ 25 A

1N5833 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1N5833 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per 1N5833 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
1N5832 thru 1N5834R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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