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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo1N5829
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

1N5829 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
1N5829
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-1N5829
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-203AA, DO-4, Stud
Scheda dati
1N5829 thru 1N5831R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 3013

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 1N5829
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - 1N5829, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - 1N5829

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 580 mV @ 25 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 20 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore DO-4  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 mA @ 20 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 25A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 1N5829  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor 1N5829

Proprietà del prodotto 1N5829 1N5830 1N5826 1N5831
Modello di prodotti 1N5829 1N5830 1N5826 1N5831
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount Chassis, Stud Mount Chassis, Stud Mount Chassis, Stud Mount
Contenitore dispositivo fornitore DO-4 DO-4 DO-5 DO-4
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tensione - inversa (Vr) (max) 20 V 25 V 20 V 35 V
Numero di prodotto di base 1N5829 1N5830 1N5826 1N5831
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 580 mV @ 25 A 580 mV @ 25 A 440 mV @ 15 A 580 mV @ 25 A
Corrente - raddrizzata media (Io) 25A 25A 15A 25A
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Capacità a Vr, F - - - -
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AA, DO-4, Stud
Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 mA @ 20 V 2 mA @ 20 V 10 mA @ 20 V 2 mA @ 20 V
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Serie - - - -

1N5829 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1N5829 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per 1N5829 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
1N5829 thru 1N5831R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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