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Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo1N3880
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

1N3880 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
1N3880
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-1N3880
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Pacchetto
DO-203AA, DO-4, Stud
Scheda dati
1N3879 thru 1N3883R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 9482

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche 1N3880
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - 1N3880, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - 1N3880

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.4 V @ 6 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-4  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 200 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 15 µA @ 50 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 6A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 1N3880  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor 1N3880

Proprietà del prodotto 1N3880 1N3879R 1N3880 1N3881
Modello di prodotti 1N3880 1N3879R 1N3880 1N3881
fabbricante GeneSiC Semiconductor Microchip Technology Microchip Technology GeneSiC Semiconductor
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.4 V @ 6 A 1.4 V @ 20 A 1.4 V @ 20 A 1.4 V @ 6 A
Tempo di ripristino inverso (trr) 200 ns 200 ns 200 ns 200 ns
Tecnologia Standard Standard, Reverse Polarity Standard Standard
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount Stud Mount Stud Mount Chassis, Stud Mount
Corrente - raddrizzata media (Io) 6A 6A 6A 6A
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V 50 V 100 V 200 V
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Corrente - Dispersione inversa a Vr 15 µA @ 50 V 15 µA @ 50 V 15 µA @ 100 V 15 µA @ 50 V
Contenitore dispositivo fornitore DO-4 DO-4 (DO-203AA) DO-4 (DO-203AA) DO-4
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud
Numero di prodotto di base 1N3880 1N3879 1N3880 1N3881
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie - - - -
Capacità a Vr, F - 115pF @ 10V, 1MHz 115pF @ 10V, 1MHz -

1N3880 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1N3880 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per 1N3880 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
1N3879 thru 1N3883R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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