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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo1N3213
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

1N3213 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
1N3213
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-1N3213
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 500V 15A DO5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-203AB, DO-5, Stud
Scheda dati
1N3212 thru 1N3214R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 4589

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 1N3213
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - 1N3213, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - 1N3213

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.5 V @ 15 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 500 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-5  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 50 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 15A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 1N3213  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor 1N3213

Proprietà del prodotto 1N3213 1N3211R 1N3214R 1N3214R
Modello di prodotti 1N3213 1N3211R 1N3214R 1N3214R
fabbricante GeneSiC Semiconductor Solid State Inc. Solid State Inc. Microchip Technology
Tecnologia Standard Standard, Reverse Polarity Standard, Reverse Polarity Standard, Reverse Polarity
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.5 V @ 15 A 1.19 V @ 90 A 1.19 V @ 90 A 1.19 V @ 90 A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 200°C
Pacchetto Bulk Box Box Bulk
Corrente - raddrizzata media (Io) 15A 40A 40A 40A
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud
Numero di prodotto di base 1N3213 - - 1N3214
Serie - - - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 500 V 300 V 600 V 600 V
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 50 V 10 µA @ 300 V 10 µA @ 600 V 10 µA @ 600 V
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount Stud Mount Stud Mount Stud Mount
Capacità a Vr, F - - - -
Contenitore dispositivo fornitore DO-5 DO-5 DO-5 DO-203AB (DO-5)

1N3213 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1N3213 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per 1N3213 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
1N3212 thru 1N3214R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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