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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo1N3210
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

1N3210 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
1N3210
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-1N3210
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-203AB, DO-5, Stud
Scheda dati
1N3208 thru 1N3211R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 6087

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 1N3210
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - 1N3210, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - 1N3210

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.5 V @ 15 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-203AB (DO-5)  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 50 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 15A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 1N3210  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor 1N3210

Proprietà del prodotto 1N3210 1N3211R 1N3210R 1N3209R
Modello di prodotti 1N3210 1N3211R 1N3210R 1N3209R
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor Solid State Inc. Microchip Technology
Tecnologia Standard Standard, Reverse Polarity Standard, Reverse Polarity Standard, Reverse Polarity
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 50 V 10 µA @ 50 V 10 µA @ 200 V 10 µA @ 100 V
Contenitore dispositivo fornitore DO-203AB (DO-5) DO-5 DO-5 DO-203AB (DO-5)
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 200°C
Numero di prodotto di base 1N3210 1N3211R - 1N3209
Corrente - raddrizzata media (Io) 15A 15A 40A 40A
Pacchetto Bulk Bulk Box Bulk
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie - - - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 300 V 200 V 100 V
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.5 V @ 15 A 1.5 V @ 15 A 1.19 V @ 90 A 1.19 V @ 90 A
Capacità a Vr, F - - - -
Tipo montaggio Stud Mount Chassis, Stud Mount Stud Mount Stud Mount

1N3210 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1N3210 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per 1N3210 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
1N3208 thru 1N3211R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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