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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloGKI03039
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GKI03039 - Sanken Electric USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
GKI03039
fabbricante
Sanken Electric USA Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-GKI03039
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
GKI03039.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 31980

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GKI03039
Specifiche tecniche Sanken Electric USA Inc. - GKI03039, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Sanken Electric USA Inc. - GKI03039

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Sanken Electric USA Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 650µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8mOhm @ 47.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 59W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Sanken Electric USA Inc. GKI03039

Proprietà del prodotto GKI03039 IXFH40N50Q2 HUF75925D3ST GKI03080
Modello di prodotti GKI03039 IXFH40N50Q2 HUF75925D3ST GKI03080
fabbricante Sanken Electric USA Inc. IXYS Fairchild Semiconductor Sanken Electric USA Inc.
Serie - HiPerFET™ UltraFET™ -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 15 V 4850 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 1030 pF @ 15 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38.8 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 78 nC @ 20 V 16.3 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) TO-247AD (IXFH) TO-252, (D-Pak) 8-DFN (5x6)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 500 V 200 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 59W (Tc) 560W (Tc) 100W (Tc) 3.1W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8mOhm @ 47.2A, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V 275mOhm @ 11A, 10V 8.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 650µA 4.5V @ 4mA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta) 40A (Tc) 11A (Tc) 12A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

GKI03039 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GKI03039 PDF e la documentazione Sanken Electric USA Inc. per GKI03039 - Sanken Electric USA Inc..

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 18/Jun/2021.pdf
Schede tecniche
GKI03039.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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