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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)Embedded-MicrocontrolloriS9S08SG8E2VTJR
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

S9S08SG8E2VTJR - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
S9S08SG8E2VTJR
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-S9S08SG8E2VTJR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
20-TSSOP (0.173', 4.40mm Width)
Scheda dati
MC9S08SG4,8.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 14798

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche S9S08SG8E2VTJR
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - S9S08SG8E2VTJR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - S9S08SG8E2VTJR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Tensione di alimentazione - (Vcc / Vdd) 2.7V ~ 5.5V  
Contenitore dispositivo fornitore 20-TSSOP  
Velocità 40MHz  
Serie S08  
Dimensioni RAM 512 x 8  
Tipo di memoria di programma FLASH  
Dimensioni memoria programma 8KB (8K x 8)  
Periferiche LVD, POR, PWM, WDT  
Contenitore / involucro 20-TSSOP (0.173', 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo oscillatore Internal  
temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA)  
Numero di I / O 16  
Tipo montaggio Surface Mount  
Dimensioni EEPROM -  
convertitori di dati A/D 12x10b  
Dimensione nucleo 8-Bit  
core Processor S08  
Connettività I²C, LINbus, SCI, SPI  
Numero di prodotto di base S9S08  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. S9S08SG8E2VTJR

Proprietà del prodotto S9S08SG8E2VTJR S9S08SG8E2CTJR S9S08SG8E2VTJ S9S08SG8E2MTGR
Modello di prodotti S9S08SG8E2VTJR S9S08SG8E2CTJR S9S08SG8E2VTJ S9S08SG8E2MTGR
fabbricante NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Periferiche LVD, POR, PWM, WDT LVD, POR, PWM, WDT LVD, POR, PWM, WDT LVD, POR, PWM, WDT
Numero di prodotto di base S9S08 S9S08 S9S08 S9S08
Tipo di memoria di programma FLASH FLASH FLASH FLASH
Dimensioni memoria programma 8KB (8K x 8) 8KB (8K x 8) 8KB (8K x 8) 8KB (8K x 8)
temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 105°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dimensioni EEPROM - - - -
convertitori di dati A/D 12x10b A/D 12x10b A/D 12x10b A/D 8x10b
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
core Processor S08 S08 S08 S08
Numero di I / O 16 16 16 12
Dimensioni RAM 512 x 8 512 x 8 512 x 8 512 x 8
Dimensione nucleo 8-Bit 8-Bit 8-Bit 8-Bit
Contenitore / involucro 20-TSSOP (0.173', 4.40mm Width) 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 20-TSSOP (0.173', 4.40mm Width) 16-TSSOP (0.173', 4.40mm Width)
Tipo oscillatore Internal Internal Internal Internal
Connettività I²C, LINbus, SCI, SPI I²C, LINbus, SCI, SPI I²C, LINbus, SCI, SPI I²C, LINbus, SCI, SPI
Velocità 40MHz 40MHz 40MHz 40MHz
Serie S08 S08 S08 S08
Contenitore dispositivo fornitore 20-TSSOP 20-TSSOP 20-TSSOP 16-TSSOP
Tensione di alimentazione - (Vcc / Vdd) 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V

S9S08SG8E2VTJR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica S9S08SG8E2VTJR PDF e la documentazione NXP USA Inc. per S9S08SG8E2VTJR - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf Mult Dev Pkg Seal 15/Dec/2020.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
2.73KHz.pdf
Schede tecniche
MC9S08SG4,8.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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S9S08SG8E2VTJR

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32D-S9S08SG8E2VTJR

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