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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPSMN2R0-60PS,127
NXP Semiconductors
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PSMN2R0-60PS,127 - NXP Semiconductors

fabbricante Modello di prodotti
PSMN2R0-60PS,127
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PSMN2R0-60PS,127
Modello ECAD
Descrizione delle parti
NEXPERIA PSMN2R0-60PS - 120A, 60
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
PSMN2R0-60PS,127 Datasheet.pdf
In magazzino: 4120

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Specifiche

Specifiche tecnologiche PSMN2R0-60PS,127
Specifiche tecniche NXP Semiconductors - PSMN2R0-60PS,127, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors - PSMN2R0-60PS,127

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 338W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9997 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base PSMN2R0  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors PSMN2R0-60PS,127

Proprietà del prodotto PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-25YLDX PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R0-60PSRQ
Modello di prodotti PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-25YLDX PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R0-60PSRQ
fabbricante NXP Semiconductors Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 TO-220AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 10 V 34.1 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 192 nC @ 10 V
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - Schottky Diode (Body) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-220-3 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 TO-220-3
Numero di prodotto di base PSMN2R0 PSMN2R0 PSMN2R2 PSMN2R0
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2mOhm @ 25A, 10V 2.09mOhm @ 25A, 10V 2.15mOhm @ 25A, 10V 2.2mOhm @ 25A, 10V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 120A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 25 V 30 V 60 V
Dissipazione di potenza (max) 338W (Tc) 115W (Tc) 141W (Tc) 338W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 2.2V @ 1mA 1.95V @ 1mA 4V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9997 pF @ 30 V 2485 pF @ 12 V 3310 pF @ 15 V 13500 pF @ 30 V

PSMN2R0-60PS,127 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PSMN2R0-60PS,127 PDF e la documentazione NXP Semiconductors per PSMN2R0-60PS,127 - NXP Semiconductors.

Schede tecniche
PSMN2R0-60PS,127 Datasheet.pdf

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