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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMV117EN,215
PMV117EN,215 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMV117EN,215 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMV117EN,215
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PMV117EN,215
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
PMV117EN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4540

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMV117EN,215
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - PMV117EN,215, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - PMV117EN,215

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB)  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 117mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 830mW (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 147 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base PMV1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. PMV117EN,215

Proprietà del prodotto PMV117EN,215 PMV130ENEAR PMV160UP,215 PMV100ENEAR
Modello di prodotti PMV117EN,215 PMV130ENEAR PMV160UP,215 PMV100ENEAR
fabbricante NXP USA Inc. NXP Semiconductors NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB SOT-23 TO-236AB
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 40 V 20 V 30 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 10 V 3.6 nC @ 10 V 4 nC @ 4.5 V 5.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 117mOhm @ 500mA, 10V 120mOhm @ 1.5A, 10V 210mOhm @ 1.2A, 4.5V 72mOhm @ 3A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Serie TrenchMOS™ - - Automotive, AEC-Q101
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base PMV1 - - PMV100
Dissipazione di potenza (max) 830mW (Tc) 460mW (Ta), 5W (Tc) 335mW (Ta), 2.17W (Tc) 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc) 2.1A (Ta) 1.2A (Ta) 3A (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 2.5V @ 250µA 950mV @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 147 pF @ 10 V 170 pF @ 20 V 365 pF @ 10 V 160 pF @ 15 V

PMV117EN,215 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMV117EN,215 PDF e la documentazione NXP USA Inc. per PMV117EN,215 - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Jul/2013.pdf
Schede tecniche
PMV117EN.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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