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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMN22XN,115
PMN22XN,115 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMN22XN,115 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMN22XN,115
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PMN22XN,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-74, SOT-457
Scheda dati
PMN22XN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3910

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMN22XN,115
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - PMN22XN,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - PMN22XN,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-74  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 27mOhm @ 5.7A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 545mW (Ta), 6.25W (Tc)  
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 585 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base PMN2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. PMN22XN,115

Proprietà del prodotto PMN22XN,115 PMN27XPE,115 PMN230ENEAX PMN25UN,115
Modello di prodotti PMN22XN,115 PMN27XPE,115 PMN230ENEAX PMN25UN,115
fabbricante NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.25V @ 250µA 2.7V @ 250µA 1V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 545mW (Ta), 6.25W (Tc) 530mW (Ta), 8.33W (Tc) 625mW (Ta), 5.4W (Tc) 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 22.5 nC @ 4.5 V 3.8 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±8V
Contenitore dispositivo fornitore SC-74 6-TSOP 6-TSOP SC-74
Rds On (max) a Id, Vgs 27mOhm @ 5.7A, 4.5V 30mOhm @ 3A, 4.5V 222mOhm @ 1.8A, 10V 27mOhm @ 6A, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 585 pF @ 15 V 1770 pF @ 10 V 110 pF @ 30 V 470 pF @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta) 4.4A (Ta) 1.8A (Ta) 6A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 60 V 20 V
Numero di prodotto di base PMN2 - PMN230 PMN2

PMN22XN,115 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMN22XN,115 PDF e la documentazione NXP USA Inc. per PMN22XN,115 - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Schede tecniche
PMN22XN.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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32D-PMN22XN,115

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