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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMK50XP,518
NXP Semiconductors
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMK50XP,518 - NXP Semiconductors

fabbricante Modello di prodotti
PMK50XP,518
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PMK50XP,518
Modello ECAD
Descrizione delle parti
NEXPERIA PMK50XP - 7.9A, 20V, 0.
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
PMK50XP.pdf
In magazzino: 390020

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Specifiche

Specifiche tecnologiche PMK50XP,518
Specifiche tecniche NXP Semiconductors - PMK50XP,518, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors - PMK50XP,518

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 5W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.9A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors PMK50XP,518

Proprietà del prodotto PMK50XP,518 IRF7492TR PMK50XP,518 R8007AND3FRATL
Modello di prodotti PMK50XP,518 IRF7492TR PMK50XP,518 R8007AND3FRATL
fabbricante NXP Semiconductors Infineon Technologies Nexperia USA Inc. Rohm Semiconductor
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 950mV @ 250µA 2.5V @ 250µA 950mV @ 250µA 5V @ 1mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 200 V 20 V 800 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.9A (Tc) 3.7A (Ta) 7.9A (Tc) 7A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 59 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO TO-252
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 10V 4.5V 10V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±30V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 2.8A, 4.5V 79mOhm @ 2.2A, 10V 50mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 5W (Tc) 2.5W (Ta) 5W (Tc) 140W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 20 V 1820 pF @ 25 V 1020 pF @ 20 V 850 pF @ 25 V
Serie TrenchMOS™ HEXFET® TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101

PMK50XP,518 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMK50XP,518 PDF e la documentazione NXP Semiconductors per PMK50XP,518 - NXP Semiconductors.

Schede tecniche
PMK50XP.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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