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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciPMGD400UN,115
PMGD400UN,115 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMGD400UN,115 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMGD400UN,115
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PMGD400UN,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
PMGD400UN,115.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMGD400UN,115
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - PMGD400UN,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - PMGD400UN,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSSOP  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 480mOhm @ 200mA, 4.5V  
Potenza - Max 410mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.89nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 710mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base PMGD4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. PMGD400UN,115

Proprietà del prodotto PMGD400UN,115 PMGD780SN,115 PMGD175XN,115 PMGD8000LN,115
Modello di prodotti PMGD400UN,115 PMGD780SN,115 PMGD175XN,115 PMGD8000LN,115
fabbricante NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSSOP 6-TSSOP 6-TSSOP 6-TSSOP
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 710mA 490mA 900mA 125mA
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 100µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 60V 30V 30V
Numero di prodotto di base PMGD4 PMGD780 PMGD1 PMGD8
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.89nC @ 4.5V 1.05nC @ 10V 1.1nC @ 4.5V 0.35nC @ 4.5V
Serie TrenchMOS™ TrenchMOS™ - TrenchMOS™
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 410mW 410mW 390mW 200mW
Rds On (max) a Id, Vgs 480mOhm @ 200mA, 4.5V 920mOhm @ 300mA, 10V 225mOhm @ 1A, 4.5V 8Ohm @ 10mA, 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 25V 23pF @ 30V 75pF @ 15V 18.5pF @ 5V

PMGD400UN,115 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMGD400UN,115 PDF e la documentazione NXP USA Inc. per PMGD400UN,115 - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Resin Hardener 02/Jul/2013.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Jul/2013.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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