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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciPMDPB65UP,115
PMDPB65UP,115 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMDPB65UP,115 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMDPB65UP,115
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PMDPB65UP,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UDFN Exposed Pad
Scheda dati
PMDPB65UP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4940

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMDPB65UP,115
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - PMDPB65UP,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - PMDPB65UP,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-HUSON (2x2)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V  
Potenza - Max 520mW  
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base PMDPB  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. PMDPB65UP,115

Proprietà del prodotto PMDPB65UP,115 PMDPB70EN,115 PMDPB70EN,115 PMDPB58UPE,115
Modello di prodotti PMDPB65UP,115 PMDPB70EN,115 PMDPB70EN,115 PMDPB58UPE,115
fabbricante NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 4.5nC @ 10V 4.5nC @ 10V 9.5nC @ 4.5V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base PMDPB PMDPB70 PMDPB70 PMDPB58
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A 3.5A 3.5A 3.6A
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 950mV @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 10V 130pF @ 15V 130pF @ 15V 804pF @ 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V 57mOhm @ 3.5A, 10V 57mOhm @ 3.5A, 10V 67mOhm @ 2A, 4.5V
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2)
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Potenza - Max 520mW 510mW 510mW 515mW

PMDPB65UP,115 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMDPB65UP,115 PDF e la documentazione NXP USA Inc. per PMDPB65UP,115 - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 26/Dec/2012.pdf Multiple Devices Dec/2012.pdf
Schede tecniche
PMDPB65UP.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMDPB65UP,115

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