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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPHP45N03LTA,127
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PHP45N03LTA,127 - NXP Semiconductors / Freescale

fabbricante Modello di prodotti
PHP45N03LTA,127
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PHP45N03LTA,127
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 40A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
PHB,PHD,PHP45N03LTA.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 3700

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Specifiche

Specifiche tecnologiche PHP45N03LTA,127
Specifiche tecniche NXP Semiconductors / Freescale - PHP45N03LTA,127, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors / Freescale - PHP45N03LTA,127

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 21 mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc)  
imballaggio Tube  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Altri nomi 934056739127
PHP45N03LTA
PHP45N03LTA-ND
 
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 5V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Descrizione dettagliata N-Channel 25V 40A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors / Freescale PHP45N03LTA,127

Proprietà del prodotto PHP45N03LTA,127 PHP45NQ10T,127 PHP45NQ10T,127 PHP44N06LT
Modello di prodotti PHP45N03LTA,127 PHP45NQ10T,127 PHP45NQ10T,127 PHP44N06LT
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors VBSEMI
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 5V 61 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V -
Serie TrenchMOS™ TrenchMOS™ TrenchMOS™ -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V 2600 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220AB -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA -
Rds On (max) a Id, Vgs 21 mOhm @ 25A, 10V 25mOhm @ 25A, 10V 25mOhm @ 25A, 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 47A (Tc) 47A (Tc) -
Altri nomi 934056739127
PHP45N03LTA
PHP45N03LTA-ND
- - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Tensione drain-source (Vdss) 25V 100 V 100 V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 10V 10V 10V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Descrizione dettagliata N-Channel 25V 40A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
imballaggio Tube - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Caratteristica FET - - - -

PHP45N03LTA,127 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PHP45N03LTA,127 PDF e la documentazione NXP Semiconductors / Freescale per PHP45N03LTA,127 - NXP Semiconductors / Freescale.

Specifiche
PHB,PHD,PHP45N03LTA.pdf

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NXP Semiconductors / Freescale
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