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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPHD34NQ10T,118
PHD34NQ10T,118 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PHD34NQ10T,118 - NXP Semiconductors / Freescale

fabbricante Modello di prodotti
PHD34NQ10T,118
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PHD34NQ10T,118
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
PHD34NQ10T,118.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 5470

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Specifiche

Specifiche tecnologiche PHD34NQ10T,118
Specifiche tecniche NXP Semiconductors / Freescale - PHD34NQ10T,118, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors / Freescale - PHD34NQ10T,118

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 40 mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc)  
imballaggio Tape & Reel (TR)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Altri nomi 934055807118
PHD34NQ10T /T3
PHD34NQ10T /T3-ND
 
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1704pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Descrizione dettagliata N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors / Freescale PHD34NQ10T,118

Proprietà del prodotto PHD34NQ10T,118 PHD36N03LT,118 PHD2N60E PHD38N02LT MOS
Modello di prodotti PHD34NQ10T,118 PHD36N03LT,118 PHD2N60E PHD38N02LT MOS
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. LUMILEDS Freescale / NXP Semiconductors
Serie TrenchMOS™ TrenchMOS™ - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 43.4A (Tc) - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V 18.5 nC @ 10 V - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Tensione drain-source (Vdss) 100V 30 V - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1704pF @ 25V 690 pF @ 25 V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 40 mOhm @ 17A, 10V 17mOhm @ 25A, 10V - -
Caratteristica FET - - - -
imballaggio Tape & Reel (TR) - - -
Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc) 57.6W (Tc) - -
Altri nomi 934055807118
PHD34NQ10T /T3
PHD34NQ10T /T3-ND
- - -
Descrizione dettagliata N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NXP Semiconductors / Freescale
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