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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - singolo, pre -poialatoPDTC123YE,115
PDTC123YE,115 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PDTC123YE,115 - NXP Semiconductors / Freescale

fabbricante Modello di prodotti
PDTC123YE,115
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PDTC123YE,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-75, SOT-416
Scheda dati
PDTC123Y Series.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 5230

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PDTC123YE,115
Specifiche tecniche NXP Semiconductors / Freescale - PDTC123YE,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors / Freescale - PDTC123YE,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA  
Tipo transistor NPN - Pre-Biased  
Contenitore dispositivo fornitore SC-75  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms  
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms  
Potenza - Max 150mW  
imballaggio Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SC-75, SOT-416  
Altri nomi 934058807115
PDTC123YE T/R
PDTC123YE T/R-ND
 
Tipo montaggio Surface Mount  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di parte base PDTC123  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors / Freescale PDTC123YE,115

Proprietà del prodotto PDTC123YE,115 PDTC123TU115 PDTC123TT,215 PDTC123TT,215
Modello di prodotti PDTC123YE,115 PDTC123TU115 PDTC123TT,215 PDTC123TT,215
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale NXP Semiconductors NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 5V - 30 @ 20mA, 5V 30 @ 20mA, 5V
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA - 100 mA 100 mA
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Serie - * - -
Altri nomi 934058807115
PDTC123YE T/R
PDTC123YE T/R-ND
- - -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75 - - -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms - - -
Contenitore dispositivo fornitore SC-75 - SOT-23 TO-236AB
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V - 50 V 50 V
imballaggio Tape & Reel (TR) - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA - 1µA 1µA
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms - 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Tipo transistor NPN - Pre-Biased - NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Numero di parte base PDTC123 - - -
Potenza - Max 150mW - 250 mW 250 mW
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA - 150mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 500µA, 10mA
Contenitore / involucro SC-75, SOT-416 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PDTC123YE,115 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PDTC123YE,115 PDF e la documentazione NXP Semiconductors / Freescale per PDTC123YE,115 - NXP Semiconductors / Freescale.

Specifiche
PDTC123Y Series.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NXP Semiconductors / Freescale
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