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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloPBSS4130QAZ
NXP Semiconductors
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PBSS4130QAZ - NXP Semiconductors

fabbricante Modello di prodotti
PBSS4130QAZ
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PBSS4130QAZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
NEXPERIA PBSS4130QA - 30 V, 1 A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-XDFN Exposed Pad
Scheda dati
PBSS4130QAZ.pdf
In magazzino: 695900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PBSS4130QAZ
Specifiche tecniche NXP Semiconductors - PBSS4130QAZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors - PBSS4130QAZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 245mV @ 50mA, 1A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore DFN1010D-3  
Serie -  
Potenza - Max 325 mW  
Contenitore / involucro 3-XDFN Exposed Pad  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 190MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 1 A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors PBSS4130QAZ

Proprietà del prodotto PBSS4130QAZ PBSS4120T PBSS4130QAZ PBSS4130T
Modello di prodotti PBSS4130QAZ PBSS4120T PBSS4130QAZ PBSS4130T
fabbricante NXP Semiconductors Yangjie Technology Nexperia USA Inc. Yangjie Technology
Corrente - collettore (Ic) (max) 1 A - 1 A -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - 150°C (TJ) -
Frequenza - transizione 190MHz - 190MHz -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30 V - 30 V -
Serie - - Automotive, AEC-Q100 -
Potenza - Max 325 mW - 325 mW -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 245mV @ 50mA, 1A - 245mV @ 50mA, 1A -
Contenitore dispositivo fornitore DFN1010D-3 - DFN1010D-3 -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V - 180 @ 1A, 2V -
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) - 100nA (ICBO) -
Tipo transistor NPN - NPN -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount -
Contenitore / involucro 3-XDFN Exposed Pad - 3-XDFN Exposed Pad -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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