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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloPBHV8115T,215
NXP Semiconductors
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PBHV8115T,215 - NXP Semiconductors

fabbricante Modello di prodotti
PBHV8115T,215
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PBHV8115T,215
Modello ECAD
Descrizione delle parti
NEXPERIA PBHV8115T - 150 V, 1 A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
PBHV8115T,215 Datasheet.pdf
PBHV8115T,215 Datasheet.pdf
In magazzino: 492550

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PBHV8115T,215
Specifiche tecniche NXP Semiconductors - PBHV8115T,215, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors - PBHV8115T,215

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 150 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 350mV @ 200mA, 1A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB  
Serie -  
Potenza - Max 300 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 30MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 1 A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors PBHV8115T,215

Proprietà del prodotto PBHV8115T,215 PBHV3160ZX PBHV8115T,215 PBHV8115Z
Modello di prodotti PBHV8115T,215 PBHV3160ZX PBHV8115T,215 PBHV8115Z
fabbricante NXP Semiconductors Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors
Potenza - Max 300 mW 650 mW 300 mW -
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB SOT-223 TO-236AB -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 350mV @ 200mA, 1A 250mV @ 6mA, 30mA 350mV @ 200mA, 1A -
Serie - Automotive, AEC-Q100 - -
Frequenza - transizione 30MHz 38MHz 30MHz -
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA 100nA 100nA -
Tipo transistor NPN PNP NPN -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 150 V 600 V 150 V -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Corrente - collettore (Ic) (max) 1 A 100 mA 1 A -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V 70 @ 10mA, 10V 50 @ 500mA, 10V -

PBHV8115T,215 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PBHV8115T,215 PDF e la documentazione NXP Semiconductors per PBHV8115T,215 - NXP Semiconductors.

Schede tecniche
PBHV8115T,215 Datasheet.pdf
Foglio dati HTML
PBHV8115T,215 Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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