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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNX7002AK215
NXP Semiconductors
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NX7002AK215 - NXP Semiconductors

fabbricante Modello di prodotti
NX7002AK215
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-NX7002AK215
Modello ECAD
Descrizione delle parti
Nexperia NX7002AK - Small Signal
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
NX7002AK215.pdf
In magazzino: 3720

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NX7002AK215
Specifiche tecniche NXP Semiconductors - NX7002AK215, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors - NX7002AK215

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 265mW (Ta), 1.33W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.43 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 190mA (Ta), 300mA (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors NX7002AK215

Proprietà del prodotto NX7002AK215 NX7002AKVL NX7002AK,215 NX7002AK2VL
Modello di prodotti NX7002AK215 NX7002AKVL NX7002AK,215 NX7002AK2VL
fabbricante NXP Semiconductors Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Serie - TrenchMOS™ - TrenchMOS™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V 4.5Ohm @ 100mA, 10V 4.5Ohm @ 100mA, 10V 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) TO-236AB TO-236AB TO-236AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.43 nC @ 4.5 V 0.43 nC @ 4.5 V 0.43 nC @ 4.5 V 0.43 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 10 V 20 pF @ 10 V 17 pF @ 10 V 20 pF @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 190mA (Ta), 300mA (Tc) 190mA (Ta) 190mA (Ta) 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 265mW (Ta), 1.33W (Tc) 265mW (Ta) 265mW (Ta), 1.33W (Tc) 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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