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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNX2301P,215
NXP Semiconductors
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NX2301P,215 - NXP Semiconductors

fabbricante Modello di prodotti
NX2301P,215
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-NX2301P,215
Modello ECAD
Descrizione delle parti
20 V, 2 A P-CHANNEL TRENCH MOSFE
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
Nx2301P215 Datasheet.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4440

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NX2301P,215
Specifiche tecniche NXP Semiconductors - NX2301P,215, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors - NX2301P,215

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta), 2.8W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors NX2301P,215

Proprietà del prodotto NX2301P,215 NX2301P,215 NX2301P215 NX2415CMTR
Modello di prodotti NX2301P,215 NX2301P,215 NX2301P215 NX2415CMTR
fabbricante NXP Semiconductors Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NEXSEM
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 6 V 380 pF @ 6 V - -
Tipo FET P-Channel P-Channel - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 2A (Ta) - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 TO-236AB - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ * -
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA - -
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta), 2.8W (Tc) 400mW (Ta), 2.8W (Tc) - -
Vgs (Max) ±8V ±8V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V 120mOhm @ 1A, 4.5V - -
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V - -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk -

NX2301P,215 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NX2301P,215 PDF e la documentazione NXP Semiconductors per NX2301P,215 - NXP Semiconductors.

Schede tecniche
Nx2301P215 Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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