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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-RFMRF7S21170HS
NXP USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MRF7S21170HS - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
MRF7S21170HS
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-MRF7S21170HS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Scheda dati
MRF7S21170HR3/HSR3.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 4610

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MRF7S21170HS
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - MRF7S21170HS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - MRF7S21170HS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Tensione - nominale 65V  
Tensione - uscita 50W  
Tensione - Ripartizione NI-880S  
Serie -  
Stato RoHS Bulk  
Polarizzazione NI-880S  
Figura di rumore 28V  
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
codice articolo del costruttore MRF7S21170HS  
Frequenza 2.17GHz  
Tipo FET 16dB  
Descrizione espansione RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 16dB 50W NI-880S  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.4A  
Descrizione FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S  
Valutazione attuale -  
Corrente - Test -  
Corrente - collettore (Ic) (max) LDMOS  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. MRF7S21170HS

Proprietà del prodotto MRF7S21170HS MRF7S21110HR3 MRF7S27130HR3 MRF7S21170HSR3
Modello di prodotti MRF7S21170HS MRF7S21110HR3 MRF7S27130HR3 MRF7S21170HSR3
fabbricante NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. Freescale Semiconductor
Tipo FET 16dB - - -
Stato RoHS Bulk - - -
Tensione - Ripartizione NI-880S - - -
Figura di rumore 28V - - -
Tensione - uscita 50W - - -
Corrente - Test - 1.1 A 1.5 A 1.4 A
Frequenza 2.17GHz 2.17GHz 2.7GHz 2.17GHz
Serie - - - -
Polarizzazione NI-880S - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) LDMOS - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.4A - - -
Descrizione FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S - - -
Valutazione attuale - - - -
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Tensione - nominale 65V 65 V 65 V 65 V
Descrizione espansione RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 16dB 50W NI-880S - - -
codice articolo del costruttore MRF7S21170HS - - -

MRF7S21170HS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MRF7S21170HS PDF e la documentazione NXP USA Inc. per MRF7S21170HS - NXP USA Inc..

Specifiche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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